Minggu, 26 Oktober 2014

Tugas 4

PENGUKURAN TEGANGAN
TRANSISTOR (VBE )





DISUSUN:
DUDI FATHUROHMAN
NPM:2405213003
SEMESTER 3


FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO
UNIVERSITAS GARUT
Jl. Jati No.428 Telp (0262)540181 Tarogong Garut 44151
2014



Kata pengantar
Segala  puji  hanya  milik  Allah SWT.  Shalawat  dan  salam  selalu tercurahkan kepada Rasulullah SAW.  Berkat  limpahan  dan rahmat-Nya penyusun  mampu  menyelesaikan  tugas  ini guna memenuhi tugas  mata kuliah Probabilitas dan Statistika.
Semoga apa yang saya kerjakan ini dapat memberikan pengetahuan mengenai transistor, juga semoga tugas ini dapat bermanfaat dikemudian hari. Saya sadar bahwa tugas ini masih banyak kekurangan dan jauh dari sempurna. Untuk itu,  saya  meminta  masukannya  demi  perbaikan  pembuatan  makalah  saya  di  masa  yang  akan  datang dan
mengharapkan kritik dan saran dari para pembaca.

KATA PENGANTAR
DAFTAR ISI
BAB I       Pendahuluan
1.1     Latar Belakang
1. 2    Rumusan Masalah
1. 3      Tujuan
BAB II      Landasan Teori
BAB III    Kerangka Teori
BAB IV    Hasil dan Pembahasan
BAB V      Kesimpulan
                 Daftar Pustaka
BAB I
PENDAHULUAN
1.1                 Latar Belakang
Transistor merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga lapisan semikonduktor, diantaranya contoh NPN dan PNP. Transistor mempunyai tiga kaki yang disebut dengan Emitor (E), Basis/Base (B) dan Kolektor/collector (C). Sejarah dari transistor ini awalnya diperkenalkan pada tahun 1948 oleh John Barden dan William Shockley, tapi baru pertama kali dimanfaatkan dalam praktiknya di tahun 1958. Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronika. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat).


        1.2  Rumusan Masalah
                    Bagaimana mengetahui tegangan transistor, khususnya pada kaki emitor.

        1.3  Tujuan

                    Mendapatkan data atau hasil yang dapat digunakan untuk mengetahui tegangan transistor kaki emitor.

BAB II
LANDASAN TEORI

Transistor berasal dari perpaduan dua kata, yakni “transfer” yang berarti pemindahan, dan “resistor” yang berarti penghambat. Dengan demikian transistor dapat diartikan sebagai suatu pemindahan atau peralihan bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada suhu atau keadaan tertentu.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Fungsi Transistor
Bukan hanya fungsi transistor saja yang berkembang, wujud dari transistor juga mengalami perubahan, saat ini transistor telah berhasil diciptakan dalam ukuran super kecil, yaitu hanya dalam ukuran nano mikron. Cara kerja komponen transistor hampirlah mirip dengan komponen resistor, termasuk juga kermiripan dalam hal tipe dasarnya yang modern.


Fungsi Transistor antara lain:
1.                  Sebagai perata arus
2.                  Sebagai penyearah
3.                  Menguatkan arus
4.                  Membangkitkan frequency rendah maupun tinggi
Cara Kerja Transistor
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolas junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.


BAB IV
HASIL DAN PEMBAHASAN
A.    Pengukuran dan pengumpulan data

No.
mV
VBE

No.
mV
VBE
1
100
1.78

19
1000
6.42
2
150
1.78

20
1500
6.42
3
200
1.83

21
2000
6.68
4
250
2.56

22
2500
7.36
5
300
2.59

23
3000
7.38
6
350
2.59

24
3500
8.14
7
400
3.48

25
4000
8.31
8
450
3.56

26
4500
8.31
9
500
3.59

27
5000
8.37
10
550
4.43

28
5500
8.43
11
600
4.46

29
6000
8.84
12
650
4.48

30
6500
8.97
13
700
4.60

31
7000
8.92
14
750
4.65

32
7500
8.94
15
800
4.65

33
8000
8.94
16
850
5.48

34
8500
8.94
17
900
5.48

35
9000
9.00
18
950
6.38





Min
1.78
Max
9.00
Range
7.22
Kelas
6
Interval
1.21

1.      Sajian data dalam bentuk tabel distribusi frekuensi dan grafik yang sesuai
Rekap Data dan distribusi Frekuensi Relatif
Tepi
Turus
Frekuensi
Frekuensi Relatif
Bawah
Atas
1.78
2.98
IIIII  I
6
17%
2.99
4.19
III
3
9%
4.20
5.40
IIIII I
6
17%
5.41
6.61
IIIII
5
14%
6.62
7.82
III
3
9%
7.83
9.03
IIIII  IIIII  II
12
34%
Jumlah
35
100%

Histogram Frekuensi
Batas
Frekuensi
Bawah
Atas
1.775
2.985
6
2.985
4.195
3
4.195
5.405
6
5.405
6.615
5
6.615
7.825
3
7.825
9.035
12


Poligon Frekuensi
Tepi
Nilai Tengah
Frekuensi
Bawah
Atas
1.78
2.98
2.38
6
2.99
4.19
3.59
3
4.20
5.40
4.80
6
5.41
6.61
6.01
5
6.62
7.82
7.22
3
7.83
9.03
8.43
12



Distribusi Kumulatif

Frekuensi Kumulatif
Frekuensi Kumulatif
1.775
0
1.775
35
2.98
6
2.98
29
4.19
9
4.19
26
5.40
15
5.40
20
6.61
20
6.61
15
7.82
23
7.82
12
9.03
35
9.03
0


Batas
Nilai Tengah
Frekuensi
Frekuensi Relatif
F ≤
F ≥
x
F.x
Bawah
Atas
1.775
2.985
2.38
6
17%
0
35
2.38
14.28
2.985
4.195
3.59
3
9%
6
29
3.59
10.77
4.195
5.405
4.80
6
17%
9
26
4.8
28.8
5.405
6.615
6.01
5
14%
15
20
6.01
30.05
6.615
7.825
7.22
3
9%
20
15
7.22
21.66
7.825
9.035
8.43
12
34%
23
12
8.43
101.16
35
0
Jumlah
35
100%
32.43
206.72

1.               Sajikan data dalam ringkasan ukuran pusat data tunggal
Data tunggal
Mean              :5.91
Median           :6.38
Modus            :4.65

2.               Sajikan data dalam ringkasan ukuran pusat data kelompok
Data kelompok
Mean

Median
L= 5.405        (Batas Bawah Frekuensi Yang Mengandung Median)
i = 6               (Interval Kelas)
n= 35            (Banyaknya Data)
F=15            (Frekuensi Kumulatif Kelas Yang Mengandung Median)

f= 5              (Frekuensi Kelas Yang Mengandung Median


Modus

L=7.825           (bataw bawah kelas yang mengandung modus)
  i= 6                (interval kelas)
d1=12-3=9     (selisih frekuensi kelas yang mengandung modus dengan kela sebelumnya)
d2=12-0=12   (selisih frekuensi kelas yang mendandung modus dengan kelas sesudahnya)



BAB V
KESIMPULAN
                       Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor, maka awalnya transistor dibuat untuk menguatkan signal-signal,daya,arus,tegangan,dan sebagainya. Namun dikarenakan karakteristik dari listriknya, penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.

Daftar Pustaka :
http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://sucirahmadhani-tugas.blogspot.com/2012/02/5-artikel-tentang-transistor.html
.          

Tidak ada komentar:

Posting Komentar